창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI18N65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ST(I,P)18N65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ M2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15550-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STI18N65M2 | |
관련 링크 | STI18, STI18N65M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
D332Z20Y5VH6TJ5R | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D332Z20Y5VH6TJ5R.pdf | ||
MKP383391025JF02I0 | 0.091µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP383391025JF02I0.pdf | ||
SIT8008AI-23-30E-2.457600D | OSC XO 3.0V 2.4576MHZ OE | SIT8008AI-23-30E-2.457600D.pdf | ||
IRD3CH16DD6 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | IRD3CH16DD6.pdf | ||
PE-0402CH2N2STT | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 660mA 80 mOhm Max Nonstandard | PE-0402CH2N2STT.pdf | ||
G7SB-5A1B DC24 | G7SB-5A1B DC24 | G7SB-5A1B DC24.pdf | ||
RC0201FR-0726R7L | RES SMD 26.7 OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-0726R7L.pdf | ||
RC1210FR-0713R7L | RES SMD 13.7 OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-0713R7L.pdf | ||
RCP1206W10R0GS3 | RES SMD 10 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W10R0GS3.pdf | ||
741X163330JPC8 | RES ARRAY 8 RES 33 OHM 1506 | 741X163330JPC8.pdf | ||
4608H-101-203LF | RES ARRAY 7 RES 20K OHM 8SIP | 4608H-101-203LF.pdf | ||
MRS25000C3162FCT00 | RES 31.6K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C3162FCT00.pdf |