STMicroelectronics STI260N6F6
- 제조업체 부품 번호
- STI260N6F6
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STI260N6F6 가격 및 조달
가능 수량
2074 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,307.02200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STI260N6F6, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STI260N6F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI260N6F6, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STI260N6F6 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STI260N6F6 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STI260N6F6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STI260N6F6, STP260N6F6 | |
| 주요제품 | STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 183nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-11329-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STI260N6F6 | |
| 관련 링크 | STI26, STI260N6F6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STI260N6F6 의 관련 제품
 | UVK0J473MRD | 47000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVK0J473MRD.pdf | |
 | EGPD800ELL621MM20H | 620µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can 44 mOhm 2000 Hrs @ 135°C | EGPD800ELL621MM20H.pdf | |
 | QVS107CG1R2CCHT | 1.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | QVS107CG1R2CCHT.pdf | |
 | GJM1555C1H9R2CB01D | 9.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H9R2CB01D.pdf | |
| T86D157K6R3EBSL | 150µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D157K6R3EBSL.pdf | |
 | BZD17C91P-E3-18 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219AB | BZD17C91P-E3-18.pdf | |
 | 4N38SR2M | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N38SR2M.pdf | |
.jpg) | RC0603DR-078K2L | RES SMD 8.2K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-078K2L.pdf | |
 | RNMF14FTD36K5 | RES 36.5K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD36K5.pdf | |
 | H84K32BYA | RES 4.32K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H84K32BYA.pdf | |
 | MAX9982ETP+TD | RF Mixer IC Cellular, EDGE, GSM 825MHz ~ 915MHz 20-TQFN (5x5) | MAX9982ETP+TD.pdf | |
| 40255 | RF Power Divider 1GHz ~ 2GHz Isolation (Min) 20dB Module | 40255.pdf |
