창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI33N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx33N60M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1781pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK(TO-262) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15016-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STI33N60M2 | |
관련 링크 | STI33, STI33N60M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
![]() | 757D567M035DG3D | 560µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 210 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | 757D567M035DG3D.pdf | |
![]() | VJ1206A620KBEAT4X | 62pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A620KBEAT4X.pdf | |
![]() | AQ12EM130FAJME | 13pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM130FAJME.pdf | |
![]() | VJ0805D471FXAAT | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D471FXAAT.pdf | |
![]() | MKP383322040JDM2B0 | 0.022µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP383322040JDM2B0.pdf | |
![]() | TA-48.000MDD-T | 48MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-48.000MDD-T.pdf | |
![]() | SIT8208AI-33-33E-28.636360T | OSC XO 3.3V 28.63636MHZ OE | SIT8208AI-33-33E-28.636360T.pdf | |
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![]() | HS10 100R F | RES CHAS MNT 100 OHM 1% 10W | HS10 100R F.pdf | |
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