창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL100N8F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STL100N8F7 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue AN4789 Appl Note | |
설계 리소스 | STL100N8F7 PSpice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.1옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3435pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-16502-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL100N8F7 | |
관련 링크 | STL10, STL100N8F7 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | ECW-H12302HL | 3000pF Film Capacitor 1000V (1kV) 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.217" W (18.00mm x 5.50mm) | ECW-H12302HL.pdf | |
![]() | 170M3397 | FUSE SQUARE 350A 1.3KVAC | 170M3397.pdf | |
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![]() | 317LB3I1536T | 153.6MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | 317LB3I1536T.pdf | |
![]() | BZD17C4V3P-E3-18 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219AB | BZD17C4V3P-E3-18.pdf | |
![]() | ERJ-14YJ752U | RES SMD 7.5K OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-14YJ752U.pdf | |
![]() | AC0201FR-0733R2L | RES SMD 33.2 OHM 1% 1/20W 0201 | AC0201FR-0733R2L.pdf | |
![]() | MCS04020C1373FE000 | RES SMD 137K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C1373FE000.pdf | |
![]() | ERX-1SJ2R7 | RES 2.7 OHM 1W 5% AXIAL | ERX-1SJ2R7.pdf |