창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL10N3LLH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STL10N3LLH5 | |
기타 관련 문서 | STL10N3LLH5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-11843-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL10N3LLH5 | |
관련 링크 | STL10, STL10N3LLH5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | VJ0402D0R3DLAAC | 0.30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R3DLAAC.pdf | |
![]() | C1812C822F5GACTU | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C822F5GACTU.pdf | |
![]() | 0FLQ002.HXR | FUSE CERAMIC 2A 500VAC 300VDC | 0FLQ002.HXR.pdf | |
![]() | XPGBWT-01-0000-00FE3 | LED Lighting XLamp® XP-G2 White, Cool 5000K 2.9V 350mA 125° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGBWT-01-0000-00FE3.pdf | |
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![]() | CRCW20101R30FKEFHP | RES SMD 1.3 OHM 1% 1W 2010 | CRCW20101R30FKEFHP.pdf | |
![]() | RT1210CRD0791KL | RES SMD 91K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD0791KL.pdf | |
![]() | RG1005N-621-B-T5 | RES SMD 620 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-621-B-T5.pdf | |
![]() | H8215KBDA | RES 215K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8215KBDA.pdf | |
![]() | E3ZM-LS69H | SENSOR PHOTOELECTRIC 200MM M8 | E3ZM-LS69H.pdf |