창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL110N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STL110N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
주요제품 | S TripFET F7 Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 107A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5117pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13877-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL110N10F7 | |
관련 링크 | STL11, STL110N10F7 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | T520B476M010ATE070 | 47µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 1411 (3528 Metric) 70 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T520B476M010ATE070.pdf | |
![]() | 199D336X9016D7V1E3 | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V Radial 0.236" Dia (6.00mm) | 199D336X9016D7V1E3.pdf | |
![]() | HC-49/U-S25600000ABJB | 25.6MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S25600000ABJB.pdf | |
![]() | 416F36022AKT | 36MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36022AKT.pdf | |
![]() | PTFA092211ELV4XWSA1 | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | PTFA092211ELV4XWSA1.pdf | |
![]() | 74404042100 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 150 mOhm Nonstandard | 74404042100.pdf | |
![]() | MRS25000C2201FCT00 | RES 2.2K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2201FCT00.pdf | |
![]() | CPCC059R100JE66 | RES 9.1 OHM 5W 5% RADIAL | CPCC059R100JE66.pdf | |
![]() | CMF5515M400GNEK | RES 15.4M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF5515M400GNEK.pdf |