창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL11N6F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STL11N6F7 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue AN4789 Appl Note | |
설계 리소스 | STL11N6F7 PSpice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1035pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-16501-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL11N6F7 | |
관련 링크 | STL1, STL11N6F7 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | ECD-G0E3R0B | 3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECD-G0E3R0B.pdf | |
![]() | R76QN3100SE30J | 0.1µF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.394" W (26.50mm x 10.00mm) | R76QN3100SE30J.pdf | |
![]() | 0218.080MXP | FUSE GLASS 80MA 250VAC 5X20MM | 0218.080MXP.pdf | |
![]() | 445A32C20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 16pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32C20M00000.pdf | |
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![]() | ERA-8AEB473V | RES SMD 47K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB473V.pdf | |
![]() | AT0603BRD0714KL | RES SMD 14K OHM 0.1% 1/10W 0603 | AT0603BRD0714KL.pdf | |
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