STMicroelectronics STL120N4LF6AG
- 제조업체 부품 번호
- STL120N4LF6AG
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STL120N4LF6AG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,186.09920
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STL120N4LF6AG, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STL120N4LF6AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL120N4LF6AG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STL120N4LF6AG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STL120N4LF6AG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STL120N4LF6AG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STL120N4LF6AG Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 96W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-16511-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STL120N4LF6AG | |
| 관련 링크 | STL120, STL120N4LF6AG Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STL120N4LF6AG 의 관련 제품
 | LD065A200GAB2A | 20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD065A200GAB2A.pdf | |
 | MAL222091004E3 | 25F Supercap 2.7V Radial, Can 15 mOhm 1000 Hrs @ 85°C 0.709" Dia (18.00mm) | MAL222091004E3.pdf | |
 | SMB8J11CAHE3/52 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMB | SMB8J11CAHE3/52.pdf | |
 | ABLS7M2-12.000MHZ-D-2Y-T | 12MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 평면 리드(Lead) | ABLS7M2-12.000MHZ-D-2Y-T.pdf | |
 | 416F36035CTR | 36MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36035CTR.pdf | |
 | DZ2J130M0L | DIODE ZENER 13V 200MW SMINI2 | DZ2J130M0L.pdf | |
 | MLG0603Q1N4S | 1.4nH Unshielded Multilayer Inductor 550mA 150 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603Q1N4S.pdf | |
 | HM66A-0628330MLF13 | 33µH Shielded Wirewound Inductor 690mA 216 mOhm Max Nonstandard | HM66A-0628330MLF13.pdf | |
| HM72A-12R15HLFTR13 | 150nH Unshielded Molded Inductor 56A 0.6 mOhm Max Nonstandard | HM72A-12R15HLFTR13.pdf | |
.jpg) | TNPW120628R7BEEN | RES SMD 28.7 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120628R7BEEN.pdf | |
 | AC03000003307JAC00 | RES 0.33 OHM 3W 5% AXIAL | AC03000003307JAC00.pdf | |
 | RNF14FTD1M40 | RES 1.4M OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD1M40.pdf |
