창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL160NS3LLH7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STL160NS3LLH7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
주요제품 | STripFET™ Series V Power MOSFETs Low Voltage (30 V) STripFET™ H7 Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3245pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-14988-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL160NS3LLH7 | |
관련 링크 | STL160, STL160NS3LLH7 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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T55A226M004C0200 | 22µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 200 mOhm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T55A226M004C0200.pdf | ||
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![]() | MBB02070C4708FCT00 | RES 4.7 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4708FCT00.pdf | |
![]() | ALSR012K700JE12 | RES 2.7K OHM 1W 5% AXIAL | ALSR012K700JE12.pdf | |
![]() | P51-100-G-M-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - M10 x 1.0 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-M-D-5V-000-000.pdf |