창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL30P3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STL30P3LLH6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-15313-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL30P3LLH6 | |
관련 링크 | STL30, STL30P3LLH6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
![]() | CX2016DB30000H0FLJC1 | 30MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -30°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB30000H0FLJC1.pdf | |
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HS200 2R2 J | RES CHAS MNT 2.2 OHM 5% 200W | HS200 2R2 J.pdf | ||
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![]() | Y1745350R000T9L | RES SMD 350OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1745350R000T9L.pdf | |
![]() | CRCW0402619KCHEDP | RES SMD 619KOHM 0.25% 1/16W 0402 | CRCW0402619KCHEDP.pdf | |
![]() | 4116R-1-392LF | RES ARRAY 8 RES 3.9K OHM 16DIP | 4116R-1-392LF.pdf | |
![]() | 4306M-101-680LF | RES ARRAY 5 RES 68 OHM 6SIP | 4306M-101-680LF.pdf | |
![]() | LR2F30R | RES 30.0 OHM 3/4W 1% AXIAL | LR2F30R.pdf | |
![]() | P51-200-S-B-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-S-B-MD-5V-000-000.pdf | |
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