창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL7DN6LF3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STL7DN6LF3 | |
기타 관련 문서 | STL7DN6LF3 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 432pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-13167-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL7DN6LF3 | |
관련 링크 | STL7D, STL7DN6LF3 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | GRM2166R1H121JZ01D | 120pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166R1H121JZ01D.pdf | |
MAL219691204E3 | 15F Supercap 5.6V Coin, Stacked Vertical 2.4 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 85°C 0.472" Dia (12.00mm) | MAL219691204E3.pdf | ||
![]() | BFC247962203 | 0.02µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC247962203.pdf | |
![]() | GP2M008A060PGH | MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK | GP2M008A060PGH.pdf | |
![]() | PA2512FKF070R005E | RES SMD 0.005 OHM 1% 1W 2512 | PA2512FKF070R005E.pdf | |
![]() | RT0805FRE07274KL | RES SMD 274K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE07274KL.pdf | |
![]() | RT1206BRE0733R2L | RES SMD 33.2 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0733R2L.pdf | |
![]() | OD165JE | RES 1.6M OHM 1/4W 5% AXIAL | OD165JE.pdf | |
![]() | Y09430R08000F9L | RES 0.08 OHM 10W 1% RADIAL | Y09430R08000F9L.pdf |