창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STN2NF10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STN2NF10 | |
기타 관련 문서 | STN2NF10 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 497-8023-2 STN2NF10-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STN2NF10 | |
관련 링크 | STN2, STN2NF10 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | 741C083102JP | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 0804 | 741C083102JP.pdf | |
![]() | HMC346LP3ETR | RF Attenuator 0dB ~ 30dB 0 ~ 14GHz 50 Ohm 16-VFQFN Exposed Pad | HMC346LP3ETR.pdf |