STMicroelectronics STP120N4F6

STP120N4F6
제조업체 부품 번호
STP120N4F6
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
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내부 부품 번호EIS-STP120N4F6
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서STx120N4F6
기타 관련 문서STP120N4F6 View All Specifications
제품 교육 모듈Automotive Grade Transistors and Discretes
주요제품STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열DeepGATE™, STripFET™ VI
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.3m옴 @ 40A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs65nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3850pF @ 25V
전력 - 최대110W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름497-10962-5
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STP120N4F6
관련 링크STP12, STP120N4F6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor
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