창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP120N4F6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx120N4F6 | |
기타 관련 문서 | STP120N4F6 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
주요제품 | STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10962-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP120N4F6 | |
관련 링크 | STP12, STP120N4F6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | 13008-021KESC | 470µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 28 mOhm 0.299" L x 0.173" W (7.60mm x 4.40mm) | 13008-021KESC.pdf | |
![]() | 1206SFP100F/63-2 | FUSE BOARD MOUNT 1A 63VDC 1206 | 1206SFP100F/63-2.pdf | |
![]() | SIT8008AI-22-33E-64.000000G | OSC XO 3.3V 64MHZ | SIT8008AI-22-33E-64.000000G.pdf | |
![]() | SIT8208AC-21-33E-12.000000T | OSC XO 3.3V 12MHZ OE | SIT8208AC-21-33E-12.000000T.pdf | |
![]() | BCR5AS-14A-T13#B00 | TRIAC 700V 5A | BCR5AS-14A-T13#B00.pdf | |
![]() | AA0603FR-075R9L | RES SMD 5.9 OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-075R9L.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF11R5U | RES SMD 11.5 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF11R5U.pdf | |
![]() | RG3216V-1210-D-T5 | RES SMD 121 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-1210-D-T5.pdf | |
![]() | QAM-RX5-433 | - RF Receiver AM 433MHz -106dBm 3KHz PCB, Through Hole Module | QAM-RX5-433.pdf |