창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP150N3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx150N3LLH6 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4040pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-9097-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP150N3LLH6 | |
관련 링크 | STP150, STP150N3LLH6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | 402F36011CDT | 36MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36011CDT.pdf | |
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![]() | PM528S-120-RC | 12µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 80 mOhm Max Nonstandard | PM528S-120-RC.pdf | |
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![]() | MCR03ERTF4993 | RES SMD 499K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF4993.pdf | |
![]() | Y162440R0000B9R | RES SMD 40 OHM 0.1% 1/5W 0805 | Y162440R0000B9R.pdf | |
![]() | CAY16-271J8LF | RES ARRAY 8 RES 270 OHM 1506 | CAY16-271J8LF.pdf | |
![]() | RS00515K00FE73 | RES 15K OHM 5W 1% WW AXIAL | RS00515K00FE73.pdf |