창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP210N75F6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx210N75F6 | |
주요제품 | STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 171nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-11334-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP210N75F6 | |
관련 링크 | STP21, STP210N75F6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | 5KP110CE3/TR13 | TVS DIODE 110VWM 196VC P600 | 5KP110CE3/TR13.pdf | |
![]() | ECS-42-16-4X | 4.194304MHz ±30ppm 수정 16pF 150옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-42-16-4X.pdf | |
![]() | 445C3XK24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XK24M57600.pdf | |
![]() | TB-4.000MDE-T | 4MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TB-4.000MDE-T.pdf | |
![]() | US2JDF-13 | DIODE ULTRA FAST 600V 2A DFLAT | US2JDF-13.pdf | |
![]() | 1N5736B | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | 1N5736B.pdf | |
![]() | IXFH18N60X | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | IXFH18N60X.pdf | |
![]() | CMF605K6200FHRE | RES 5.62K OHM 1W 1% AXIAL | CMF605K6200FHRE.pdf | |
![]() | CP0005150R0KE663 | RES 150 OHM 5W 10% AXIAL | CP0005150R0KE663.pdf |