창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP25N60M2-EP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STP25N60M2-EP | |
주요제품 | 600 V MDmesh M2 EP MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ M2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 188m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1090pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15892-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP25N60M2-EP | |
관련 링크 | STP25N, STP25N60M2-EP Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
![]() | UVK2D3R3MED1TA | 3.3µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVK2D3R3MED1TA.pdf | |
![]() | C1210C222JDGACTU | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C222JDGACTU.pdf | |
![]() | K472K15X7RF5WH5 | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K472K15X7RF5WH5.pdf | |
![]() | 5NLE10E | FUSE CRTRDGE 10A 15.5KVAC NONSTD | 5NLE10E.pdf | |
![]() | BK/S506-15-R | FUSE GLASS 15A 250VAC 5X20MM | BK/S506-15-R.pdf | |
![]() | P6KE200A-TP | TVS DIODE 171VWM 274VC DO15 | P6KE200A-TP.pdf | |
![]() | GDZT2R7.5 | DIODE ZENER 7.5V 100MW GMD2 | GDZT2R7.5.pdf | |
![]() | MMBZ4685-HE3-18 | DIODE ZENER 3.6V 350MW SOT23-3 | MMBZ4685-HE3-18.pdf | |
![]() | HGTP20N60A4 | IGBT 600V 70A 290W TO220AB | HGTP20N60A4.pdf | |
![]() | 1537-36F | 10µH Unshielded Molded Inductor 335mA 900 mOhm Max Axial | 1537-36F.pdf | |
![]() | RG3216N-1802-W-T1 | RES SMD 18K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-1802-W-T1.pdf | |
![]() | OHD5R-75B | SENSTHERMOHD5R 75C 1W BREAK | OHD5R-75B.pdf |