STMicroelectronics STP2N62K3
- 제조업체 부품 번호
- STP2N62K3
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STP2N62K3 가격 및 조달
가능 수량
2785 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 704.24600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STP2N62K3, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STP2N62K3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP2N62K3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STP2N62K3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STP2N62K3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STP2N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STx2N62K3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 1.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12612-5 STP2N62K3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STP2N62K3 | |
| 관련 링크 | STP2, STP2N62K3 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STP2N62K3 의 관련 제품
-H.jpg) | CL31C271JIHNNNE | 270pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C271JIHNNNE.pdf | |
 | VJ1812Y182JBCAT4X | 1800pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y182JBCAT4X.pdf | |
,-SC-63.jpg) | FJD3076TM | TRANS NPN 32V 2A DPAK | FJD3076TM.pdf | |
 | BSS7728NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | BSS7728NH6327XTSA1.pdf | |
 | ETQ-P3W2R2WFN | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 9A 17.8 mOhm Max Nonstandard | ETQ-P3W2R2WFN.pdf | |
 | AIAP-03-100K | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 8.7A 19 mOhm Max Axial | AIAP-03-100K.pdf | |
 | 1812-680K | 68nH Unshielded Inductor 770mA 250 mOhm Max 2-SMD | 1812-680K.pdf | |
 | 1008-180K | 18nH Unshielded Inductor 1.32A 70 mOhm Max Nonstandard | 1008-180K.pdf | |
.jpg) | RT0402BRE0795K3L | RES SMD 95.3KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0795K3L.pdf | |
 | CRCW2512158KFKEGHP | RES SMD 158K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW2512158KFKEGHP.pdf | |
 | Y16253K65000T9R | RES SMD 3.65KOHM 0.01% 0.3W 1206 | Y16253K65000T9R.pdf | |
 | CRCW12061M02FKTA | RES SMD 1.02M OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12061M02FKTA.pdf |
