창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP32N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx32N65M5 | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 119m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3320pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10079-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP32N65M5 | |
관련 링크 | STP32, STP32N65M5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | DSC1001DE1-110.0000 | 110MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001DE1-110.0000.pdf | |
![]() | IMP4-4QE0-4QE0-4QE0-4QE0-00-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP4-4QE0-4QE0-4QE0-4QE0-00-A.pdf | |
![]() | S14100039 | 285µH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 25A DCR 1.6 mOhm | S14100039.pdf | |
![]() | SDR2207-561KL | 560µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 1 Ohm Max Nonstandard | SDR2207-561KL.pdf | |
![]() | RT1210CRD07909KL | RES SMD 909K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07909KL.pdf | |
![]() | CAY10-474J4LF | RES ARRAY 4 RES 470K OHM 0804 | CAY10-474J4LF.pdf | |
![]() | RSF1JT7K50 | RES MO 1W 7.5K OHM 5% AXIAL | RSF1JT7K50.pdf | |
![]() | E39-TM1 | TERM BLOCK UNIT NPN-PNP | E39-TM1.pdf |