창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP35N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx35N65M5 | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10080-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP35N65M5 | |
관련 링크 | STP35, STP35N65M5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
![]() | USV1V220MFD1TP | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | USV1V220MFD1TP.pdf | |
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![]() | MKP385310063JCI2B0 | 10000pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKP385310063JCI2B0.pdf | |
![]() | 9C-31.250MBBK-T | 31.25MHz ±50ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-31.250MBBK-T.pdf | |
![]() | SBR4 | BRIDGE RECT 1.5A 400V | SBR4.pdf | |
![]() | MCC44-12IO1B | MOD THYRISTOR DUAL 1200V TO240AA | MCC44-12IO1B.pdf | |
![]() | 2SD1757KT146Q | TRANS NPN 15V 0.5A SOT-346 | 2SD1757KT146Q.pdf | |
![]() | PM127SH-6R1N-RC | 6.1µH Shielded Wirewound Inductor 6.6A 18 mOhm Max Nonstandard | PM127SH-6R1N-RC.pdf | |
![]() | RT0805DRE0738K3L | RES SMD 38.3K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0738K3L.pdf | |
![]() | TLM2BER018JTD | RES SMD 0.018 OHM 5% 1/2W 1206 | TLM2BER018JTD.pdf | |
![]() | MBB02070C3241FRP00 | RES 3.24K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3241FRP00.pdf |