창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP7LN80K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STP7LN80K5 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | The Avalanche Issue Fishbone Diagram for Power Factor Correction AN2842 Appl Note Power MOSFET Avalanche Characteristics | |
설계 리소스 | STP7LN80K5 PSpice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 85W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-16497-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP7LN80K5 | |
관련 링크 | STP7L, STP7LN80K5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | SBLB10L30-E3/81 | DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB | SBLB10L30-E3/81.pdf | |
![]() | BZG05C4V7TR | DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC | BZG05C4V7TR.pdf | |
![]() | ET3542-052 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.8A DCR 400 mOhm | ET3542-052.pdf | |
![]() | MLF1608DR68JTD25 | 680nH Shielded Multilayer Inductor 70mA 1.25 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608DR68JTD25.pdf | |
![]() | SP1008-153J | 15µH Shielded Wirewound Inductor 232mA 2.1 Ohm Max Nonstandard | SP1008-153J.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF9312V | RES SMD 93.1K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF9312V.pdf | |
![]() | AA0402FR-0739RL | RES SMD 39 OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-0739RL.pdf | |
![]() | Y14551K21000T0W | RES SMD 1.21KOHM 0.01% 1/5W 1506 | Y14551K21000T0W.pdf | |
![]() | RTP350HVNAA | SENSOR HALL EFFECT ROTARY | RTP350HVNAA.pdf |