창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP80N6F6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STP80N6F6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 122nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7480pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-13976-5 STP80N6F6-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP80N6F6 | |
관련 링크 | STP8, STP80N6F6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
![]() | GCM188L81H153KA37D | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X8L 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM188L81H153KA37D.pdf | |
![]() | VJ0402D2R0DLAAP | 2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R0DLAAP.pdf | |
![]() | C1210C331K2GACTU | 330pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C331K2GACTU.pdf | |
![]() | MKP385668016JYP5T0 | 68µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | MKP385668016JYP5T0.pdf | |
![]() | UPT12/TR7 | TVS DIODE 12VWM POWERMITE | UPT12/TR7.pdf | |
![]() | TS073F23CDT | 7.3728MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS073F23CDT.pdf | |
![]() | 7M49170001 | 49.152MHz ±15ppm 수정 10pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M49170001.pdf | |
![]() | 416F50023IKT | 50MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50023IKT.pdf | |
![]() | XBDAWT-02-0000-00000LEC1 | LED Lighting XLamp® XB-D White, Cool 5000K 2.9V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XBDAWT-02-0000-00000LEC1.pdf | |
![]() | PA4332.682NLT | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 2.4A 156 mOhm Max Nonstandard | PA4332.682NLT.pdf | |
![]() | IHSM5832RF1R2L | 1.2µH Unshielded Inductor 8.8A 11 mOhm Max Nonstandard | IHSM5832RF1R2L.pdf | |
![]() | RCP2512B30R0GS3 | RES SMD 30 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B30R0GS3.pdf |