창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP80PF55 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ST(B,P)80PF55 | |
기타 관련 문서 | STP80PF55 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 258nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-2729-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP80PF55 | |
관련 링크 | STP8, STP80PF55 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | SCRH123-390 | 39µH Shielded Inductor 1.62A 215 mOhm Max Nonstandard | SCRH123-390.pdf | |
![]() | SI8234BB-D-ISR | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC | SI8234BB-D-ISR.pdf | |
![]() | RCP0603W200RGS6 | RES SMD 200 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W200RGS6.pdf | |
![]() | MBB02070C5603FRP00 | RES 560K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C5603FRP00.pdf | |
![]() | RSF2JB360K | RES MO 2W 360K OHM 5% AXIAL | RSF2JB360K.pdf |