STMicroelectronics STS10DN3LH5
- 제조업체 부품 번호
- STS10DN3LH5
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
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STS10DN3LH5 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STS10DN3LH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STS10DN3LH5 | |
| 기타 관련 문서 | STS10DN3LH5 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 475pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-10011-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STS10DN3LH5 | |
| 관련 링크 | STS10, STS10DN3LH5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
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