창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STS10DN3LH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STS10DN3LH5 | |
기타 관련 문서 | STS10DN3LH5 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 475pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-10011-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STS10DN3LH5 | |
관련 링크 | STS10, STS10DN3LH5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | SMAJ7.5CAHE3/61 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMA | SMAJ7.5CAHE3/61.pdf | |
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![]() | CVCO55BE-1900-2762 | Center Frequency 2331MHz Voltage Controlled Oscillator 0.5 ~ 9.5 V 6 ±3 dBm -7 dBc | CVCO55BE-1900-2762.pdf | |
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![]() | CPF1206B33R2E1 | RES SMD 33.2 OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B33R2E1.pdf | |
![]() | 23J3K0 | RES 3K OHM 3W 5% AXIAL | 23J3K0.pdf | |
![]() | CPCP05R4700FE32 | RES 0.47 OHM 5W 1% RADIAL | CPCP05R4700FE32.pdf |