STMicroelectronics STS4DNFS30L
- 제조업체 부품 번호
- STS4DNFS30L
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STS4DNFS30L 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 638.26960
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STS4DNFS30L, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STS4DNFS30L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STS4DNFS30L, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STS4DNFS30L 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STS4DNFS30L 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STS4DNFS30L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STS4DNFS30L | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-3227-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STS4DNFS30L | |
| 관련 링크 | STS4D, STS4DNFS30L Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STS4DNFS30L 의 관련 제품
 | 06031A800JAT2A | 80pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A800JAT2A.pdf | |
 | GRM1885C2A1R2CZ01D | 1.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A1R2CZ01D.pdf | |
 | BK/MDA-V3-2/10R | FUSE CERAMIC 3.2A 250VAC 3AB 3AG | BK/MDA-V3-2/10R.pdf | |
 | HCM494000000ABJT | 4MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM494000000ABJT.pdf | |
 | SIT9002AC-43H33DK | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 80mA | SIT9002AC-43H33DK.pdf | |
 | MSD160-08 | DIODE BRIDGE 3PH 800V 160A SM3 | MSD160-08.pdf | |
 | 2300HT-331-H-RC | 330µH Shielded Toroidal Inductor 4.9A 100 mOhm Max Radial | 2300HT-331-H-RC.pdf | |
 | AA0805FR-073M4L | RES SMD 3.4M OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-073M4L.pdf | |
 | ERJ-S14F5901U | RES SMD 5.9K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F5901U.pdf | |
 | RCWE1206R680JKEA | RES SMD 0.68 OHM 5% 1/2W 1206 | RCWE1206R680JKEA.pdf | |
 | HRG3216Q-10R2-D-T5 | RES SMD 10.2 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216Q-10R2-D-T5.pdf | |
| Y0035V0008BT0L | RES NETWORK 4 RES 10K OHM AXIAL | Y0035V0008BT0L.pdf |
