창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU150N3LLH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx150N3LLH6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4040pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-12693-5 STU150N3LLH6-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STU150N3LLH6 | |
관련 링크 | STU150, STU150N3LLH6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | B82721A2601N20 | 15mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 600mA DCR 700 mOhm (Typ) | B82721A2601N20.pdf | |
![]() | MLG0402Q12NJT000 | 12nH Unshielded Multilayer Inductor 140mA 2.4 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q12NJT000.pdf | |
![]() | LQM2HPNR56ME0L | 560nH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 75 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | LQM2HPNR56ME0L.pdf | |
![]() | RC1210JR-073RL | RES SMD 3 OHM 5% 1/2W 1210 | RC1210JR-073RL.pdf | |
![]() | RC2010FK-07470KL | RES SMD 470K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-07470KL.pdf | |
![]() | RT2512FKE07200RL | RES SMD 200 OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE07200RL.pdf | |
![]() | HRG3216P-1961-D-T1 | RES SMD 1.96K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1961-D-T1.pdf | |
![]() | Y145360K0000B9L | RES 60K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y145360K0000B9L.pdf |