창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU6N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx6N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 232pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-13978-5 STU6N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STU6N60M2 | |
관련 링크 | STU6, STU6N60M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | QBLP670-IR3 | Infrared (IR) Emitter 850nm 1.4V 50mA 1.2mW/sr @ 20mA 120° 2-LCC (J-Lead) | QBLP670-IR3.pdf | |
![]() | ASSR-4111-501E | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 6-SMD (0.300", 7.62mm) | ASSR-4111-501E.pdf | |
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