STMicroelectronics STW50N65DM2AG
- 제조업체 부품 번호
- STW50N65DM2AG
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 28A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STW50N65DM2AG 가격 및 조달
가능 수량
1270 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,753.66300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STW50N65DM2AG, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STW50N65DM2AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW50N65DM2AG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STW50N65DM2AG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STW50N65DM2AG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STW50N65DM2AG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STW50N65DM2AG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 87m옴 @ 19A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-16138-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STW50N65DM2AG | |
| 관련 링크 | STW50N, STW50N65DM2AG Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STW50N65DM2AG 의 관련 제품
 | LNY2W822MSEH | 8200µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | LNY2W822MSEH.pdf | |
 | SR152A270JAA | 27pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR152A270JAA.pdf | |
 | 170M5118 | FUSE SQ 1.25KA 700VAC RECTANGLR | 170M5118.pdf | |
 | 067404.5DRT4P | FUSE CERAMIC 4.5A 250VAC AXIAL | 067404.5DRT4P.pdf | |
 | 416F406X2CDR | 40.61MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406X2CDR.pdf | |
 | SG-615P 5.0000MC0:ROHS | 5MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 23mA Enable/Disable | SG-615P 5.0000MC0:ROHS.pdf | |
 | 1PS301,115 | DIODE ARRAY GP 80V 160MA SOT323 | 1PS301,115.pdf | |
 | VS-MBRB2545CTR-M3 | DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK | VS-MBRB2545CTR-M3.pdf | |
 | SI3430DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP | SI3430DV-T1-GE3.pdf | |
 | MCR01MZPF6801 | RES SMD 6.8K OHM 1% 1/16W 0402 | MCR01MZPF6801.pdf | |
.jpg) | AF1210JR-07750RL | RES SMD 750 OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-07750RL.pdf | |
 | WNB1R0FET | RES 1 OHM 1W 1% AXIAL | WNB1R0FET.pdf |
