창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50N02-06P-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUD50N02-06P | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2550pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD50N02-06P-E3-ND SUD50N02-06P-E3TR SUD50N0206PE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUD50N02-06P-E3 | |
관련 링크 | SUD50N0, SUD50N02-06P-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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CLF12555T-101M | 100µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 228 mOhm Max Nonstandard | CLF12555T-101M.pdf | ||
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![]() | RE1206DRE0723R2L | RES SMD 23.2 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE0723R2L.pdf | |
![]() | TNPW1210680RBEEN | RES SMD 680 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210680RBEEN.pdf | |
![]() | YC248-FR-0780R6L | RES ARRAY 8 RES 80.6 OHM 1606 | YC248-FR-0780R6L.pdf | |
ER74R047JT | RES 0.047 OHM 3W 5% AXIAL | ER74R047JT.pdf |