창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50N024-09P-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUD50N024-09P | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 22V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 39.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUD50N024-09P-E3 | |
관련 링크 | SUD50N02, SUD50N024-09P-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
CGA3E3X8R2A223K080AB | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X8R2A223K080AB.pdf | ||
06031A620JAT2A | 62pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A620JAT2A.pdf | ||
PD0070WJ30038BF1 | 30pF 14000V(14kV) 세라믹 커패시터 R7 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 2.756"(70.00mm) Dia | PD0070WJ30038BF1.pdf | ||
SA150CA | TVS DIODE 150VWM 243VC DO204AC | SA150CA.pdf | ||
V150LT20APX10 | VARISTOR 240V 6.5KA DISC 20MM | V150LT20APX10.pdf | ||
MBR3100VPTR-G1 | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO27 | MBR3100VPTR-G1.pdf | ||
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URG2012L-102-L-T05 | RES SMD 1K OHM 0.01% 1/10W 0805 | URG2012L-102-L-T05.pdf | ||
PE1206JRF470R015L | RES SMD 0.015 OHM 5% 1W 1206 | PE1206JRF470R015L.pdf | ||
Y16245K42000T9R | RES SMD 5.42KOHM 0.01% 1/5W 0805 | Y16245K42000T9R.pdf | ||
Y00623R60000B9L | RES 3.6 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00623R60000B9L.pdf |