창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50P10-43L-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUD50P10-43L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 9.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD50P10-43L-E3-ND SUD50P10-43L-E3TR SUD50P1043LE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUD50P10-43L-E3 | |
관련 링크 | SUD50P1, SUD50P10-43L-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
08052A330GAT2A | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052A330GAT2A.pdf | ||
C2220C334M3RACTU | 0.33µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | C2220C334M3RACTU.pdf | ||
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CSTCR4M00G55B-R0 | 4MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 39pF ±0.15% -40°C ~ 125°C Surface Mount | CSTCR4M00G55B-R0.pdf | ||
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KAI-0373-ABA-CB-BA | CCD Image Sensor 768H x 484V 11.6µm x 13.6µm 24-CDIP | KAI-0373-ABA-CB-BA.pdf | ||
LNK616PG | Converter Offline Flyback Topology Up to 85kHz DIP-8C | LNK616PG.pdf |