창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM110N06-3M9H-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUM110N06-3M9H | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SUM110N06-3M9H-E3-ND SUM110N06-3M9H-E3TR SUM110N063M9HE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUM110N06-3M9H-E3 | |
관련 링크 | SUM110N0, SUM110N06-3M9H-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | GCM3195C1H392JA16D | 3900pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GCM3195C1H392JA16D.pdf | |
![]() | ECW-H16103HV | 10000pF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.315" W (23.00mm x 8.00mm) | ECW-H16103HV.pdf | |
![]() | NRS2012T3R3MGJ | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.02A 190 mOhm Nonstandard | NRS2012T3R3MGJ.pdf | |
![]() | MCR01MRTF28R0 | RES SMD 28 OHM 1% 1/16W 0402 | MCR01MRTF28R0.pdf | |
![]() | AC0603FR-07510RL | RES SMD 510 OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-07510RL.pdf | |
RSMF1JA150R | RES MO 1W 150 OHM 5% AXIAL | RSMF1JA150R.pdf | ||
![]() | RR01J39KTB | RES 39.0K OHM 1W 5% AXIAL | RR01J39KTB.pdf | |
![]() | MS46LR-30-350-Q1-10X-10R-NO-FN | SYSTEM | MS46LR-30-350-Q1-10X-10R-NO-FN.pdf |