창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM50P10-42-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUM50P10-42-E3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2 m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 18.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUM50P10-42-E3 | |
관련 링크 | SUM50P1, SUM50P10-42-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | B43504B9397M87 | 390µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 220 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504B9397M87.pdf | |
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![]() | CBR02C399C8GAC | 3.9pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C399C8GAC.pdf | |
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![]() | SIT9121AC-1C3-33E156.250000T | OSC XO 3.3V 156.25MHZ OE | SIT9121AC-1C3-33E156.250000T.pdf | |
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![]() | VS-SD1100C20L | DIODE MODULE 2KV 1170A DO200AB | VS-SD1100C20L.pdf | |
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![]() | 4610X-AP1-562LF | RES ARRAY 9 RES 5.6K OHM 10SIP | 4610X-AP1-562LF.pdf | |
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