창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM55P06-19L-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUM55P06-19L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 115nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SUM55P06-19L-E3-ND SUM55P06-19L-E3TR SUM55P0619LE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUM55P06-19L-E3 | |
관련 링크 | SUM55P0, SUM55P06-19L-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
VJ0805D8R2CXXAP | 8.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D8R2CXXAP.pdf | ||
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TAP686K010CAC | 68µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V Radial 1.3 Ohm 0.276" Dia (7.00mm) | TAP686K010CAC.pdf | ||
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AC2010FK-0714K7L | RES SMD 14.7K OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-0714K7L.pdf | ||
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SFR2500008452FR500 | RES 84.5K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500008452FR500.pdf | ||
TBPMANN400MGUCV | Pressure Sensor 5.8 PSI (40 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (2.54mm) Tube 0 mV ~ 29 mV (5V) 6-SMD, No Lead, Top Port | TBPMANN400MGUCV.pdf | ||
P51-300-A-G-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-A-G-MD-4.5V-000-000.pdf |