창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM60030E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUM60030E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 141nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7910pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SUM60030E-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUM60030E-GE3 | |
관련 링크 | SUM600, SUM60030E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | MCR50JZHJ202 | RES SMD 2K OHM 5% 1/2W 2010 | MCR50JZHJ202.pdf | |
![]() | RT0603CRE0715RL | RES SMD 15 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE0715RL.pdf | |
RSMF12JT9K10 | RES MO 1/2W 9.1KOHM 5% AXL | RSMF12JT9K10.pdf | ||
![]() | RNMF14FTC3K83 | RES 3.83K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTC3K83.pdf | |
![]() | MBB02070D1002BC100 | RES 10K OHM 0.4W 0.1% AXIAL | MBB02070D1002BC100.pdf | |
![]() | Y000776K0000B0L | RES 76K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y000776K0000B0L.pdf | |
![]() | PPT2-0001GXX5VS | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0001GXX5VS.pdf | |
![]() | UCC25701DG4 | Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 700kHz 14-SOICN | UCC25701DG4.pdf |