창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM90N04-3M3P-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SUM90N04-3M3P-E3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 131nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5286pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUM90N04-3M3P-E3 | |
관련 링크 | SUM90N04, SUM90N04-3M3P-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | BFU550XVL | TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-143B | BFU550XVL.pdf | |
![]() | ASPI-1367-5R6M-T | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 12A 11.5 mOhm Max Nonstandard | ASPI-1367-5R6M-T.pdf | |
![]() | CRCW120613K7FKEA | RES SMD 13.7K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120613K7FKEA.pdf | |
![]() | ERA-2ARC333X | RES SMD 33K OHM 0.25% 1/16W 0402 | ERA-2ARC333X.pdf | |
![]() | RT1210DRD0761K9L | RES SMD 61.9K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0761K9L.pdf | |
![]() | RT1210BRD07825RL | RES SMD 825 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07825RL.pdf |