창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUP50N03-5M1P-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Packaging Information SUP50N03-5M1P-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2780pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SUP50N03-5M1P-GE3CT SUP50N03-5M1P-GE3CT-ND SUP50N035M1PGE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SUP50N03-5M1P-GE3 | |
관련 링크 | SUP50N03, SUP50N03-5M1P-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
476SML004M | 47µF 4V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 12.35 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 476SML004M.pdf | ||
CGA4J2X5R1E684K125AA | 0.68µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J2X5R1E684K125AA.pdf | ||
12061C812K4T2A | 8100pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061C812K4T2A.pdf | ||
F1778347K3FCB0 | 0.047µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F1778347K3FCB0.pdf | ||
PTVS7V5P1UP,115 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SOD128 | PTVS7V5P1UP,115.pdf | ||
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SIT8008AI-12-30E-96.000000E | OSC XO 3.0V 96MHZ OE | SIT8008AI-12-30E-96.000000E.pdf | ||
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ERA-8ARW7322V | RES SMD 73.2KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW7322V.pdf | ||
77081393P | RES ARRAY 7 RES 39K OHM 8SIP | 77081393P.pdf |