창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C6V8LT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 10,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SZBZX84C6V8LT3G | |
관련 링크 | SZBZX84, SZBZX84C6V8LT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
K150K15C0GH55L2 | 15pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K150K15C0GH55L2.pdf | ||
VJ1206Y221MXGAT5Z | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y221MXGAT5Z.pdf | ||
NPVV337M004R0003 | 330µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2924 (7361 Metric) 3 mOhm ESR | NPVV337M004R0003.pdf | ||
1E8PT8.25 | FUSE CRTRDGE 1A 8.25KVAC NON STD | 1E8PT8.25.pdf | ||
0805J1000103MXTE03 | 0.01µF Feed Through Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) | 0805J1000103MXTE03.pdf | ||
2150-22J | 8.2µH Unshielded Molded Inductor 795mA 220 mOhm Max Axial | 2150-22J.pdf | ||
SI8630BD-B-IS | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 3 Channel 150Mbps 35kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | SI8630BD-B-IS.pdf | ||
RC2012F1R2CS | RES SMD 1.2 OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F1R2CS.pdf | ||
RC2010FK-07953RL | RES SMD 953 OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-07953RL.pdf | ||
AT1206BRD0737K4L | RES SMD 37.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0737K4L.pdf | ||
RNCF2010BKE200K | RES SMD 200K OHM 0.1% 1/3W 2010 | RNCF2010BKE200K.pdf | ||
PLTT0805Z5360AGT5 | RES SMD 536 OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z5360AGT5.pdf |