창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C7V5LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 3,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SZBZX84C7V5LT1G | |
관련 링크 | SZBZX84, SZBZX84C7V5LT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | CPDQR12V0U | TVS DIODE 12VWM 24VC 0402 | CPDQR12V0U.pdf | |
![]() | 416F32033ITT | 32MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033ITT.pdf | |
![]() | NLV25T-8R2J-EFD | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3.05 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-8R2J-EFD.pdf | |
![]() | ASPI-0418S-5R6N-T3 | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 132 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0418S-5R6N-T3.pdf | |
![]() | IMC1812RQ5R6K | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RQ5R6K.pdf | |
![]() | 2510R-02F | 120nH Unshielded Inductor 785mA 170 mOhm Max 2-SMD | 2510R-02F.pdf | |
![]() | RC0201DR-071K6L | RES SMD 1.6K OHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-071K6L.pdf | |
![]() | RNCF1206BKC20K0 | RES SMD 20K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKC20K0.pdf | |
![]() | TNPU1206287KAZEN00 | RES SMD 287K OHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU1206287KAZEN00.pdf | |
![]() | FRM200JR-73-27R | RES 27 OHM 2W 5% AXIAL | FRM200JR-73-27R.pdf | |
![]() | PM-K44 | SENSOR PHOTO 5MM 5-24VDC NPN | PM-K44.pdf |