창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-T5070670B4AQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | T507__70 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | SCR - 단일 | |
제조업체 | Powerex Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 오프 상태 | 600V | |
전압 - 게이트 트리거(Vgt)(최대) | 3V | |
전류 - 게이트 트리거(Igt)(최대) | 150mA | |
전압 - 온 상태(Vtm)(최대) | 3.5V | |
전류 - 온 상태(It (AV))(최대) | 70A | |
전류 - 온 상태(It (RMS))(최대) | 110A | |
전류 - 홀드(Ih)(최대) | - | |
전류 - 오프 상태(최대) | 15mA | |
전류 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 1200A @ 60Hz | |
SCR 유형 | 표준 회복 | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | TO-209AC, TO-94-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | TO-94 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | T5070670B4AQ | |
관련 링크 | T50706, T5070670B4AQ Datasheet, Powerex Inc. Distributor |
K332J20C0GF5TH5 | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K332J20C0GF5TH5.pdf | ||
893D107X9016E2TE3 | 100µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 893D107X9016E2TE3.pdf | ||
402F27111CDR | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27111CDR.pdf | ||
SIT9121AI-2D2-33E148.350000T | OSC XO 3.3V 148.35MHZ | SIT9121AI-2D2-33E148.350000T.pdf | ||
VPH4-0047-R | Unshielded 6 Coil Inductor Array 12-SMD | VPH4-0047-R.pdf | ||
106-222J | 2.2µH Unshielded Inductor 250mA 1.5 Ohm Max 2-SMD | 106-222J.pdf | ||
PE1206FRM470R03L | RES SMD 0.03 OHM 1% 1W 1206 | PE1206FRM470R03L.pdf | ||
Y14880R00900B9W | RES SMD 0.009 OHM 0.1% 3W 3637 | Y14880R00900B9W.pdf | ||
SOMC1403200RGEA | RES ARRAY 7 RES 200 OHM 14SOIC | SOMC1403200RGEA.pdf | ||
ERG-3SJ220 | RES 22 OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ220.pdf | ||
ADL5322-EVALZ | EVAL BOARD FOR ADL5322 | ADL5322-EVALZ.pdf | ||
P51-300-A-H-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-A-H-I12-4.5OVP-000-000.pdf |