창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-T550B256K100AH42510100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | T550 Series Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 탄탈룸 - 고분자 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | T550 | |
포장 | 트레이 | |
정전 용량 | 25µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 100V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 190m옴 | |
유형 | 완벽한 씰링 | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.279" Dia x 0.650" L(7.09mm x 16.51mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
리드 간격 | - | |
제조업체 크기 코드 | B | |
특징 | 부하 경감 권장, 범용 | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | T550B256K100AH42510100 | |
관련 링크 | T550B256K10, T550B256K100AH42510100 Datasheet, Kemet Distributor |
MALSECA00AF310FARK | 100µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1.99 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALSECA00AF310FARK.pdf | ||
80D392P080KE2DE3 | 3900µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | 80D392P080KE2DE3.pdf | ||
CGJ3E2C0G1H100D080AA | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGJ3E2C0G1H100D080AA.pdf | ||
VJ0805D201GLBAR | 200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D201GLBAR.pdf | ||
C317C683M5U5CA | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.150" L x 0.120" W(3.81mm x 3.05mm) | C317C683M5U5CA.pdf | ||
MKP1847645254Y2 | 45µF Film Capacitor 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP1847645254Y2.pdf | ||
VS-150U80DL | DIODE GP 800V 150A DO-8 | VS-150U80DL.pdf | ||
IMC1812RW8R2K | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RW8R2K.pdf | ||
EL817(S)(D)(TD)-G | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | EL817(S)(D)(TD)-G.pdf | ||
ERJ-1GEF3833C | RES SMD 383K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF3833C.pdf | ||
MCR18EZHJ122 | RES SMD 1.2K OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ122.pdf | ||
RCS04023K30JNED | RES SMD 3.3K OHM 5% 1/5W 0402 | RCS04023K30JNED.pdf |