창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TA810PW20R0J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TA Series | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | Power Chip® TA | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 20 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 10W | |
구성 | 후막 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 180°C | |
패키지/케이스 | 방사 | |
공급 장치 패키지 | Powerchip® | |
크기/치수 | 1.085" L x 0.240" W(27.56mm x 6.10mm) | |
높이 | 1.020"(25.91mm) | |
종단 개수 | 4 | |
표준 포장 | 100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TA810PW20R0J | |
관련 링크 | TA810P, TA810PW20R0J Datasheet, Ohmite Distributor |
UMK212SD103KD-T | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | UMK212SD103KD-T.pdf | ||
GRM0225C1E3R7BA03L | 3.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E3R7BA03L.pdf | ||
C1206C223K1RALTU | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C223K1RALTU.pdf | ||
VJ0402D1R5BXXAP | 1.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R5BXXAP.pdf | ||
BFC237934274 | 0.27µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC237934274.pdf | ||
SIT8008ACB8-18E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT8008ACB8-18E.pdf | ||
BF1105R,215 | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R | BF1105R,215.pdf | ||
NR6020T6R8N | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 102 mOhm Max Nonstandard | NR6020T6R8N.pdf | ||
MLF1608E8R2MTA00 | 8.2µH Shielded Multilayer Inductor 10mA 1.5 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608E8R2MTA00.pdf | ||
HSC1001K5J | RES CHAS MNT 1.5K OHM 5% 100W | HSC1001K5J.pdf | ||
HRG3216P-5760-B-T5 | RES SMD 576 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-5760-B-T5.pdf | ||
EXB-D10C824J | RES ARRAY 8 RES 820K OHM 1206 | EXB-D10C824J.pdf |