창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TAP156M006SRS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TAP Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 탄탈룸 커패시터 | |
제조업체 | AVX Corporation | |
계열 | TAP | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 15µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 6.3V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 5옴 | |
유형 | 공형 코팅 | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.335"(8.50mm) | |
리드 간격 | 0.098"(2.50mm) | |
제조업체 크기 코드 | C | |
특징 | 범용 | |
수명 @ 온도 | 1000시간(85°C) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TAP156M006SRS | |
관련 링크 | TAP156, TAP156M006SRS Datasheet, AVX Corporation Distributor |
![]() | BZG05C100-E3-TR3 | DIODE ZENER 100V 1.25W DO214AC | BZG05C100-E3-TR3.pdf | |
![]() | VMO1200-01F | MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI | VMO1200-01F.pdf | |
![]() | 8230-50-RC | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 195mA 3.1 Ohm Max Axial | 8230-50-RC.pdf | |
![]() | HF1008-331J | 330nH Unshielded Inductor 330mA 1.35 Ohm Max Nonstandard | HF1008-331J.pdf | |
![]() | S4924-183J | 18µH Shielded Inductor 580mA 890 mOhm Max Nonstandard | S4924-183J.pdf | |
![]() | 4379R-124HS | 120µH Shielded Inductor 89mA 6.2 Ohm Max 2-SMD | 4379R-124HS.pdf | |
![]() | CNY17-2X006 | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | CNY17-2X006.pdf | |
![]() | ESR18EZPF7R50 | RES SMD 7.5 OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF7R50.pdf | |
![]() | AT0402DRE0762KL | RES SMD 62K OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0762KL.pdf | |
![]() | Y0006V0032TT0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y0006V0032TT0L.pdf | |
![]() | CMF5511K300BHEB | RES 11.3K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5511K300BHEB.pdf | |
![]() | 8027 | Magnet Neodymium Iron Boron (NdFeB) N35 2.000" L x 1.000" W x 0.125" H (50.80mm x 25.4mm x 3.18mm) | 8027.pdf |