Rohm Semiconductor TFZGTR2.0B
- 제조업체 부품 번호
- TFZGTR2.0B
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 2V 500MW TUMD2
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TFZGTR2.0B 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 91.42833
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TFZGTR2.0B, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. TFZGTR2.0B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TFZGTR2.0B, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TFZGTR2.0B 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TFZGTR2.0B 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR2.0B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TFZ Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TFZGTR2.0B | |
| 관련 링크 | TFZGT, TFZGTR2.0B Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
TFZGTR2.0B 의 관련 제품
 | UPX1V102MHD | 1000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 20000 Hrs @ 105°C | UPX1V102MHD.pdf | |
 | ECA-2VM100B | 10µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ECA-2VM100B.pdf | |
 | 08052A430KAT2A | 43pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08052A430KAT2A.pdf | |
 | VJ0603D1R2BLCAC | 1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R2BLCAC.pdf | |
 | 564R3DF0D12 | 1200pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.559" Dia(14.20mm) | 564R3DF0D12.pdf | |
 | P4SMA27A-E3/61 | TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC SMA | P4SMA27A-E3/61.pdf | |
 | 416F30012IAT | 30MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30012IAT.pdf | |
| SIT3821AI-1D2-33EE10.24000T | OSC XO 3.3V 10.24MHZ OE | SIT3821AI-1D2-33EE10.24000T.pdf | |
| SIT9121AI-2DF-33E161.132812Y | OSC XO 3.3V 161.132812MHZ | SIT9121AI-2DF-33E161.132812Y.pdf | |
| SLA4036 | TRANS 120V 2A 12SIP | SLA4036.pdf | |
.jpg) | RT1210BRD07120KL | RES SMD 120K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07120KL.pdf | |
.jpg) | RT0805WRD0769R8L | RES SMD 69.8 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD0769R8L.pdf |
