창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR6.8B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TFZGTR6.8B-ND TFZGTR6.8BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TFZGTR6.8B | |
관련 링크 | TFZGT, TFZGTR6.8B Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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![]() | 416F38412CTT | 38.4MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412CTT.pdf | |
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![]() | DZ4J150K0R | DIODE ZENER ARRAY 15V SMINI4 | DZ4J150K0R.pdf | |
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![]() | PE2512JKM7W0R022L | RES SMD 0.022 OHM 5% 2W 2512 | PE2512JKM7W0R022L.pdf | |
![]() | PHP00805E6652BBT1 | RES SMD 66.5K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E6652BBT1.pdf | |
![]() | TNPW20102K37BEEF | RES SMD 2.37K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20102K37BEEF.pdf | |
![]() | RSF1GT1K50 | RES MO 1W 1.5K OHM 2% AXIAL | RSF1GT1K50.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 2DB N1 | RF Attenuator 2dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 2DB N1.pdf | |
![]() | P51-3000-S-H-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-3000-S-H-D-20MA-000-000.pdf |