창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TJ15P04M3,RQ(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TJ15P04M3 Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 29W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TJ15P04M3RQ(S TJ15P04M3RQS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TJ15P04M3,RQ(S | |
관련 링크 | TJ15P04, TJ15P04M3,RQ(S Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | MAL215922681E3 | 680µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 350 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | MAL215922681E3.pdf | |
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![]() | SA102A300JAA | 30pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A300JAA.pdf | |
![]() | 3640CA473KAT9A | 0.047µF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 3640(9110 미터법) 0.360" L x 0.402" W(9.14mm x 10.20mm) | 3640CA473KAT9A.pdf | |
![]() | SAC10-TP | TVS DIODE 10VWM 16.3VC DO15 | SAC10-TP.pdf | |
![]() | MGV1203R68M-10 | 680nH Shielded Wirewound Inductor 28A 2.5 mOhm Max Nonstandard | MGV1203R68M-10.pdf | |
![]() | Y116927R0000Q9R | RES SMD 27 OHM 0.02% 0.6W J LEAD | Y116927R0000Q9R.pdf | |
![]() | CMF557K3200DHEB | RES 7.32K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF557K3200DHEB.pdf | |
![]() | 40F560 | RES 560 OHM 10W 1% AXIAL | 40F560.pdf | |
![]() | FC-SF2BH-32 | FRONT PROTECTION COVER FOR SF2B | FC-SF2BH-32.pdf |