Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L(T6L1,NQ
- 제조업체 부품 번호
- TJ40S04M3L(T6L1,NQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TJ40S04M3L(T6L1,NQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 778.37750
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TJ40S04M3L(T6L1,NQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TJ40S04M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ40S04M3L(T6L1,NQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TJ40S04M3L(T6L1,NQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TJ40S04M3L(T6L1,NQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TJ40S04M3L(T6L1,NQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TJ40S04M3L Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4140pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TJ40S04M3L(T6L1NQ TJ40S04M3LT6L1NQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TJ40S04M3L(T6L1,NQ | |
| 관련 링크 | TJ40S04M3, TJ40S04M3L(T6L1,NQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TJ40S04M3L(T6L1,NQ 의 관련 제품
 | MALREKA00DC268L00K | 68µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.56 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALREKA00DC268L00K.pdf | |
| 108LBA200M2CG | ELECTROLYTIC | 108LBA200M2CG.pdf | |
 | MAL212380338 | 3.3µF 35V Aluminum Capacitors Axial, Can 73 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C | MAL212380338.pdf | |
 | GRM1555C1E3R3CA01D | 3.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E3R3CA01D.pdf | |
 | 18125A242JAT2A | 2400pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18125A242JAT2A.pdf | |
 | 80SQ045NG | DIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIAL | 80SQ045NG.pdf | |
 | PE-0603CDR12JTT | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 650 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | PE-0603CDR12JTT.pdf | |
 | SD20-220-R | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.12A 205.3 mOhm Nonstandard | SD20-220-R.pdf | |
.jpg) | RT0603BRD073K65L | RES SMD 3.65KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD073K65L.pdf | |
 | CW01017K40KE123 | RES 17.4K OHM 13W 10% AXIAL | CW01017K40KE123.pdf | |
| V600-D8KR04 | RFID Tag Read/Write 8kB (User) Memory Encapsulated | V600-D8KR04.pdf | |
| 310600030177 | HERMETIC THERMOSTAT | 310600030177.pdf |
