Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ
제조업체 부품 번호
TK100L60W,VQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
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TK100L60W,VQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK100L60W,VQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서TK100L60W
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징초접합
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs18m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.7V @ 5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs360nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds15000pF @ 30V
전력 - 최대797W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3PL
공급 장치 패키지TO-3PL
표준 포장 100
다른 이름TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK100L60W,VQ
관련 링크TK100L, TK100L60W,VQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
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