Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60D(STA4,Q,M)
- 제조업체 부품 번호
- TK10A60D(STA4,Q,M)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK10A60D(STA4,Q,M) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,175.90880
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK10A60D(STA4,Q,M), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK10A60D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10A60D(STA4,Q,M), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK10A60D(STA4,Q,M) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK10A60D(STA4,Q,M) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK10A60D(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK10A60D Mosfets Prod Guide | |
| 카탈로그 페이지 | 1648 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | TK10A60DSTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK10A60D(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK10A60D(, TK10A60D(STA4,Q,M) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK10A60D(STA4,Q,M) 의 관련 제품
 | 63ZL180MEFCG412.5X16 | 180µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 63ZL180MEFCG412.5X16.pdf | |
 | SMDJ40A | TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMD | SMDJ40A.pdf | |
 | 416F360X3CTT | 36MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3CTT.pdf | |
 | SG-310SCF 24.5760MB3 | 24.576MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 2.5mA Standby (Power Down) | SG-310SCF 24.5760MB3.pdf | |
 | F1827RD600 | DIODE MODULE 600V 25A | F1827RD600.pdf | |
| S25G | DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA | S25G.pdf | |
| R6220430PSOO | DIODE MODULE 400V 300A DO200AA | R6220430PSOO.pdf | |
 | P1812-103G | 10µH Unshielded Inductor 550mA 608 mOhm Max Nonstandard | P1812-103G.pdf | |
 | ERJ-1GNJ180C | RES SMD 18 OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GNJ180C.pdf | |
.jpg) | RT1206WRC0747KL | RES SMD 47K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC0747KL.pdf | |
 | CW02B330R0JE70 | RES 330 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B330R0JE70.pdf | |
 | CA000233R00JR05 | RES 33 OHM 2W 5% AXIAL | CA000233R00JR05.pdf |
