Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ
- 제조업체 부품 번호
- TK10V60W,LVQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK10V60W,LVQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,807.56560
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK10V60W,LVQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK10V60W,LVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10V60W,LVQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK10V60W,LVQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK10V60W,LVQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK10V60W,LVQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK10V60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 4.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 88.3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-VSFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN(8x8) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | TK10V60WLVQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK10V60W,LVQ | |
| 관련 링크 | TK10V6, TK10V60W,LVQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK10V60W,LVQ 의 관련 제품
 | UPM1K470MPD | 47µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPM1K470MPD.pdf | |
-1.4.jpg) | CGA4J1X7R1V475M125AE | 4.7µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J1X7R1V475M125AE.pdf | |
 | 06035A101JA12A | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A101JA12A.pdf | |
| 06035K100JAWTR | 10pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035K100JAWTR.pdf | |
 | 3KASMC16HE3_A/H | TVS DIODE 16VWM 28.8VC DO214AB | 3KASMC16HE3_A/H.pdf | |
 | SIT8208AI-8F-33E-64.000000Y | OSC XO 3.3V 64MHZ OE | SIT8208AI-8F-33E-64.000000Y.pdf | |
 | GL41GHE3/96 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB | GL41GHE3/96.pdf | |
.jpg) | RT0603BRE0721K5L | RES SMD 21.5KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE0721K5L.pdf | |
.jpg) | RT1206CRE07698KL | RES SMD 698K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE07698KL.pdf | |
 | RP73D2A102RBTG | RES SMD 102 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A102RBTG.pdf | |
 | CFR25J68K | RES 68.0K OHM 1/3W 5% AXIAL | CFR25J68K.pdf | |
| E2EH-X3B1-M1 | Inductive Proximity Sensor 0.118" (3mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M12 | E2EH-X3B1-M1.pdf |
