Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ
- 제조업체 부품 번호
- TK10V60W,LVQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TK10V60W,LVQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,807.56560
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TK10V60W,LVQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TK10V60W,LVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10V60W,LVQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TK10V60W,LVQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK10V60W,LVQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK10V60W,LVQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TK10V60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 4.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 88.3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-VSFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN(8x8) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | TK10V60WLVQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TK10V60W,LVQ | |
| 관련 링크 | TK10V6, TK10V60W,LVQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TK10V60W,LVQ 의 관련 제품
-14.jpg) | C2012JB1E475M085AC | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1E475M085AC.pdf | |
 | VJ0402D0R1CXCAJ | 0.10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R1CXCAJ.pdf | |
 | AT-5.000MAHE-T | 5MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-5.000MAHE-T.pdf | |
 | 445C25A24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25A24M57600.pdf | |
 | 3090-103F | 10µH Unshielded Inductor 120mA 5 Ohm Max 2-SMD | 3090-103F.pdf | |
.jpg) | RC1005F4421CS | RES SMD 4.42K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F4421CS.pdf | |
 | RR0510P-5232-D | RES SMD 52.3KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-5232-D.pdf | |
 | MMB02070C7870FB200 | RES SMD 787 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C7870FB200.pdf | |
.jpg) | PE2010FKM070R01L | RES SMD 0.01 OHM 1% 1/2W 2010 | PE2010FKM070R01L.pdf | |
 | CMF5593K100DHR6 | RES 93.1K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5593K100DHR6.pdf | |
| Y0058250R000T0L | RES 250 OHM 0.3W 0.01% AXIAL | Y0058250R000T0L.pdf | |
| P51-50-G-L-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-G-L-I12-4.5V-000-000.pdf |
